长江记忆的首席科学家:我国技术的三维闪存芯片已经从落后到后方捕捉
2025-07-10
根据媒体的报道,在2025年北京大学的毕业典礼上,长江存储的科学负责人兼校友Huo Zongligang担任校友代表,并向毕业生发送了祝福和建议。 Huo Zongligang说,自北京大学出生以来,北京大学发布了全国复兴的任务。北京大学的血液以“家庭,国家和世界”的基因流动。我们要做的就是不要害怕坐在板凳上,不要贪婪,以便快速回报,而要在独立的研发之路上安静地工作。在存储长江的近十年中,该团队睡着柴火,试图克服所有障碍,该国的三维记忆记忆技术使得从一开始就实现了Leapfrog的发展,从而从后面开始了FrofCatch。 Huo Zongligang还说,在任何领域,如果您想取得成功,就必须准备思考ffer。据报道,Changjiang Storage Technology Co,Ltd成立于2016年7月,总部位于Wuhan,“ Jiangcheng”。它是一家IDM内存公司,包括芯片设计,制造,包装和测试以及系统解决方案产品。 2017年10月,长江的记忆通过独立的研发和国际合作的结合成功设计和生产,并制造了第一个3D NAND的中国闪存。 2019年9月,第二代TLC 3D NAND NAND闪存配备了独立的现代建筑,由大众正式制造。 2020年4月,Changjiang Storage宣布成功开发了第三代TLC/QLCTWO产品。 X2-6070型号是第三代QLC闪存的第一个内存,具有最高的I/或行业速度,最高的存储密度和最高的单一容量。 [本文的结尾]如果您需要打印,请成为确保指出来源:Kuai技术编辑:Lujiao