6月10日的家报道，2025年IEEE VLSI研讨会将在日本东京举行。 SK Hynix在未来30年内提出了新的DRAM技术和可持续变化方向的新路线图。 SK Hynix首席技术官Cha Seon Yong在演讲中说，很难继续继续现有的技术平台，以进一步提高DRAM的性能和能力。该公司计划申请在10nm或以下的4F2 VG平台和3D DRAM的技术，以及现代的结构，材料和成分。 4F2 VG将平面门结构调整为传统DRAM垂直，从而减少了单个数据存储单元的职业区域，同时有助于实现高集成，高速和低电量消耗。混合键将以这样的方式用于4F2 VG DRAM中。 Cha Seon Yong认为，在业内的声音中，Kshav的估计增加了3D鼓层意味着成本上升，此PR可以通过正在进行的现代技术来解决问题。